Samsung 850 EVO 250GB

Dysk SSD Samsung 850 EVO 250 GB

Technologia V-NAND 3D

Unikalna innowacyjna architektura pamięci flash V-NAND 3D firmy Samsung to przełom w pokonywaniu ograniczeń związanych z gęstością, wydajnością i wytrzymałością konwencjonalnej architektury dwuwymiarowej typu NAND. Technologia V-NAND 3D powstaje poprzez ułożenie 32 warstw komórek jedna na drugiej zamiast stosowania mniejszych komórek układanych poziomo jedna obok drugiej. Takie rozwiązanie zapewnia wzrost gęstości i lepsze wykorzystanie przestrzeni.

Technologia TurboWrite

Uzyskaj najwyższą wydajność odczytu / zapisu z myślą o przyspieszeniu codziennych obliczeń dzięki technologii TurboWrite firmy Samsung. Użytkownik zyskuje nie tylko o ponad 10% lepsze walory użytkowe w porównaniu z modelem 840 EVO, ale także do 1,9 raza większe prędkości zapisu losowego w przypadku modeli 120 / 250 GB. Model 850EVO gwarantuje najwyższą w swojej klasie wydajność w zakresie prędkości sekwencyjnego odczytu (540 MB/s) i zapisu (520 MB/s). Użytkownik uzyskuje także wzrost wydajności procesów losowych we wszystkich kropkach kwantowych niezależnie od zastosowania.

Jeszcze większe prędkości

Oprogramowanie Magician firmy Samsung oferuje dostęp do trybu Rapid, który zapewnia dwukrotnie szybsze przetwarzanie danych na poziomie systemu poprzez użycie niewykorzystanej pamięci komputera PC (DRAM) jako pamięci podręcznej. W swojej najnowszej wersji oprogramowanie Magician oferuje wzrost maksymalnego wykorzystania pamięci w trybie Rapid z 1 GB w modelu 840 EVO do 4 GB w modelu 850 EVO z układami DRAM o pojemności 16 GB. Użytkownik może także liczyć na dwukrotny wzrost wydajności niezależnie od głębokości kolejki odczytu/zapisu losowego.

Gwarantowana trwałość i niezawodność

Model 850 EVO zapewnia gwarantowany poziom trwałości i niezawodności poprzez podwojenie wskaźnika TBW w stosunku do modelu poprzedniej generacji, tj. 840 EVO, w ramach najdłuższej na rynku, bo pięcioletniej gwarancji. Minimalny poziom spadku wydajności oznacza, że model 850 EVO zapewnia zachowanie parametrów użytkowych o 30% wyższych w porównaniu z modelem 840 EVO, stając się jednym z najbardziej niezawodnych modeli urządzeń pamięci masowej.

Niższe zużycie energii

Model 850 EVO zapewnia znacząco dłuższy czas działania akumulatora w notebooku z kontrolerem zoptymalizowanym pod kątem technologii V-NAND 3D, oferując obecnie zużycie energii w stanie uśpienia na poziomie 2 mW. Model 850 EVO jest teraz o 25% bardziej energooszczędny w porównaniu z modelem 840 EVO podczas wykonywania operacji zapisu, co zawdzięcza temu, że technologia V-NAND 3D zużywa jedynie połowę energii potrzebnej do zasilania architektury dwuwymiarowej NAND.

Bezpieczeństwo

Model 850 EVO oferuje ochronę danych za pośrednictwem najnowszego sprzętowego mechanizmu pełnego szyfrowania dysku. 256-bitowa technologia szyfrowania danych AES umożliwia zabezpieczenie danych bez uszczerbku dla wydajności w zgodzie ze normą TCG Opal 2.0. Jest także zgodna z normą Microsoft eDrive IEEE1667, co daje pewność większego bezpieczeństwa danych.

Pełna ochrona przed przegrzaniem

Technologia Dynamic Thermal Guard w modelu 850 EVO pozwala na ciągłe monitorowanie i utrzymywanie stałej temperatury pracy napędu z myślą o integralności danych. Gdy temperatura wzrasta powyżej optymalnego poziomu, technologia zapewnia automatyczne jej obniżenie, chroniąc dane i zapewniając pełną funkcjonalność zabezpieczonego przed przegrzaniem komputera.

Sięgnij po więcej, wybierając model 850 EVO

Oprogramowanie One-stop Install Navigator w trzech prostych krokach przeprowadza użytkownika przez proces migracji wszystkich danych i aplikacji z dotychczasowego nośnika pamięci masowej na model 850 EVO. Oprogramowanie Magician firmy Samsung pozwala także na optymalizację systemu i zarządzanie nim pod kątem nośnika SSD..

Zintegrowane rozwiązanie

Samsung to jedyny producent w branży nośników SSD, który samodzielnie opracowuje i wytwarza wszystkie podzespoły, co przekłada się na ich lepszą integrację. Prowadzi to do wzrostu wydajności, zmniejszenia zużycia energii przez pamięć podręczną na bazie układów LPDDR2 DRAM o pojemności do 1 GB, a także do zwiększenia wydajności energetycznej kontrolera MEX / MGX..

Specyfikacja techniczna:

• Waga [g]: 66 g
• Wymiary: 6,8 x 69,85 x 100 mm
• Format: 2,5"
• Interfejs: SATA III
• Pojemność [GB]: 250 GB
• Typ pamięci: TLC
• Maks. zapis [MB/s]: 520 MB/s
• Maks. odczyt [MB/s]: 540 MB/s
• Nominalny czas pracy: 1.5mln godzin